在單個(gè)封裝中集成多個(gè)芯片或芯粒的必要性引起了人們對(duì)先進(jìn)封裝技術(shù)開(kāi)發(fā)的極大關(guān)注，半導(dǎo)體工程師和物理學(xué)家投入了大量精力進(jìn)行研發(fā)。在更小的占地面積內(nèi)容納更多數(shù)量的硅芯片需要垂直和水平堆疊，包括額外的引線鍵合、密集封裝的小型凸塊、更高的布線復(fù)雜度以及來(lái)自相鄰信號(hào)路徑的潛在干擾。各種封裝技術(shù)的出現(xiàn)可以解決這些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，從而推進(jìn) HI的發(fā)展。下面討論一些常見(jiàn)的封裝技術(shù)：

1）傳統(tǒng)封裝：傳統(tǒng)封裝裝是指已廣泛使用的傳統(tǒng)封裝方法。這些技術(shù)包括雙列直插式封裝 (DIP)、四角扁平封裝 (QFP) 和小外形集成電路 (SOIC)。雖然傳統(tǒng)封裝很好地服務(wù)于該行業(yè)，但它在尺寸、功耗和信號(hào)完整性方面存在一定的局限性。然而，傳統(tǒng)封裝仍然在特定領(lǐng)域得到應(yīng)用，例如低成本設(shè)備或性能要求較低的應(yīng)用。

2）倒裝封裝：為了增強(qiáng)芯片的性能和效率并減少互連，需要將芯片放置得更近。在倒裝芯片球柵陣列 (FCBGA) 的封裝中，芯片或者天線放置在封裝的表面上，數(shù)字、模擬或射頻IC以單片方式集成到球柵陣列基板的底部。這種方法可以提高電源效率并提高數(shù)據(jù)傳輸速率，然而采用這種方法后，熱管理成為新的挑戰(zhàn)。為了改善連接性并減少寄生，引入了微凸塊。

3）晶圓級(jí)封裝 (WLP)：晶圓級(jí)封裝 (WLP) 是標(biāo)準(zhǔn)芯片封裝方法之一，其中薄金屬層用于創(chuàng)建再分布層 (RDL)。此外，扇出晶圓級(jí)封裝 (FOWLP) 已成為毫米波微電子封裝的流行方法，F(xiàn)OWLP 通過(guò)減小封裝的尺寸和厚度，實(shí)現(xiàn)了無(wú)基板設(shè)計(jì)，從而增強(qiáng)了射頻性能并提供了更大的設(shè)計(jì)靈活性。然而，由于使用具有不同熱膨脹系數(shù) (CTE) 的材料，翹曲對(duì) FOWLP 提出了重大挑戰(zhàn)。為了解決這個(gè)問(wèn)題，嵌入式晶圓級(jí)球柵陣列（eWLB）已成為一種流行的的 FOWLP 技術(shù)，實(shí)現(xiàn)以合理的成本進(jìn)行大批量生產(chǎn)。

4）2.5D 封裝：在 2.5D 封裝中，單獨(dú)的中介層位于芯粒和封裝基板之間。封裝應(yīng)用的流行趨勢(shì)主要集中在將尖端邏輯和存儲(chǔ)元件集成到單個(gè)封裝中。在這種情況下，內(nèi)插器的主要功能是促進(jìn)這些設(shè)備之間的高速數(shù)據(jù)通信。

2.5D 封裝的一個(gè)很好的例子是臺(tái)積電開(kāi)發(fā)的晶圓上芯片 (CoWoS)。在 CoWoS 中，多個(gè)小芯片或芯片堆疊在硅中介層頂部，硅中介層使用微凸塊或硅通孔 (TSV) 連接到基板 [19]。最開(kāi)始使用倒裝芯片或引線接合技術(shù)將芯片接合到中介層，此后將中介層附著到基板上。中介層面向芯片的一側(cè)通常包括多個(gè)金屬層或 RDL，它們將來(lái)自芯粒上的 I/O 焊盤(pán)的電信號(hào)分配到硅中介層上的相應(yīng)焊盤(pán)。在集成不同的芯粒（例如存儲(chǔ)器、處理器和基于 MEMS 的傳感器）時(shí)，基于中介層的 2.5D 封裝特別有價(jià)值。多家公司開(kāi)發(fā)了自己的 2.5D 封裝解決方案，包括內(nèi)存、處理器和基于 MEMS 的傳感器。中介層也采用了多種材料，包括IBM的直接鍵合異構(gòu)集成（DBHi）、臺(tái)積電的本地硅互連（LSI）和日月光的堆疊硅橋扇出基板上芯片（sFO CoS）等。