1.Wire bond原理： 對金屬絲和壓焊點同時加熱和超聲波，接觸面便產(chǎn)生塑性變形，并破壞了界面的氧化膜，使其活性化，通過接觸面兩金屬之間的相互擴散，形成金屬化合物而完成連接。

2.常用線材： 金線，Ag合金線，鈀銅線，純銅線。 基于0.8mil，20um各種線材特性比較如下： 金線的主要優(yōu)點： 硬度低，應(yīng)力小，不容易產(chǎn)生彈坑。 抗氧化性好，在高溫高濕下環(huán)境下的長期可靠性好。 缺點：成本較高，金屬遷移率高，相比其他線材易產(chǎn)生Kirkendall Void。

銀合金線的主要優(yōu)點: 硬度低，應(yīng)力小，不容易產(chǎn)生彈坑，成本低。 缺點：相比其他線材斷裂載荷偏小。

銅線的主要優(yōu)點： 成本低，電阻率小，金屬遷移速率低，高溫不易產(chǎn)生Kirkendall Void。 缺點：硬度大，容易產(chǎn)生彈坑，高溫高濕下易腐蝕。

銅線和鈀銅線優(yōu)缺點比較：1）鈀銅線具有更好的耐腐蝕性 2）鈀銅線開封后可以存儲7天，純銅線只能存儲3天。3）鈀銅焊接時在純氮氣環(huán)境下，純銅線需要在氮氫混合氣體中。

一、 打線封裝的制作流程

打線封裝一般都使用「導線架」與「金線」，而且必須將黏著墊(Bond pad)制作在芯片的四周圍，導線架的金屬接腳(蜈蚣腳)也必須制作在集成電路封裝外殼的四周圍，如＜圖一＞所示，因此打線封裝的接腳數(shù)目不能太多。打線封裝的步驟為：在靠近芯片的一側(cè)，以機械鋼嘴將金線加壓加熱打在芯片四周圍的「黏著墊」上；在靠近導線架的一側(cè)，以機械鋼嘴將金線加壓加熱打在「導線架」上，打完第一根金線，再打第二根，依此類推。

圖一　打線封裝技術(shù)。

1. 打線封裝除了可以使用「導線架」之外，也可以使用「導線載板leadframe」，如＜圖二＞所示，配合封裝外部使用針格陣列(PGA)或球格陣列(BGA)如下：
   ?內(nèi)部打線封裝，外部針格陣列(PGA)：如＜圖二(a)＞所示，是以前英特爾(Intel)的中央處理器(CPU)常用的封裝方式，目前內(nèi)部大都已經(jīng)改用覆晶封裝了。
   ?內(nèi)部打線封裝，外部球格陣列(BGA)：如＜圖二(b)＞所示，是以前個人計算機的北橋芯片與南橋芯片經(jīng)常使用的封裝方式，目前內(nèi)部大都已經(jīng)改用覆晶封裝了。

圖二　打線封裝的應(yīng)用。

1. 三、 打線封裝的優(yōu)缺點
   ?優(yōu)點：適合中小型芯片，大型芯片也有使用，技術(shù)較成熟。
   ?缺點：每支接腳必須打線封裝速度較慢，封裝體積較大。

四、集成電路封裝清洗：

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。