倒裝芯片（flip chip）的工藝流程

倒裝芯片封裝是芯片封裝的方式之一，倒裝芯片作用在于降低成本，提高速度，提高組件可靠性。倒裝芯片封裝為芯片正面朝下向基板，無(wú)需引線鍵合，形成最短電路，降低電阻；采用金屬球連接，縮小了封裝尺寸，改善電性表現(xiàn)，解決了BGA為增加引腳數(shù)而需擴(kuò)大體積的困擾。

下面合明科技小編給大家介紹的是倒裝芯片（flip chip）的工藝流程及，希望能對(duì)您有所幫助！

倒裝芯片分為兩步：

第一步是做凸點(diǎn)（bump）,凸點(diǎn)的類(lèi)型有很多，如下圖，最常見(jiàn)的有純錫球，銅柱+錫球，金凸點(diǎn)等類(lèi)型。

第二步是將芯片安放到封裝基板上.

具體工藝步驟如下：

1、Wafer Incoming and Clean（晶圓準(zhǔn)備與清洗）在開(kāi)始工藝之前，晶圓表面可能會(huì)有無(wú)有機(jī)物、顆粒、氧化層等污染物，需要進(jìn)行清洗，用濕法或干法清洗的方式均可。

2、PI-1 Litho（第一層光刻：聚酰亞胺涂層光刻）聚酰亞胺（PI）一種絕緣材料，起到絕緣，支撐的作用。先涂覆在晶圓表面，再進(jìn)行曝光，顯影，最后做出bump的開(kāi)口位置。

3、Ti/Cu Sputtering(UBM)UBM（Under Bump Metallization），凸點(diǎn)下金屬層，主要是導(dǎo)電作用，為后面的電鍍做準(zhǔn)備。一般是用磁控濺射的方法做出UBM，以Ti/Cu的種子層最為常見(jiàn)。

4、PR-1 Litho（第二層光刻：光刻膠光刻）光刻膠的光刻將決定凸點(diǎn)的形狀和尺寸，這一步是打開(kāi)待電鍍的區(qū)域。

5、Sn-Ag Plating（錫-銀電鍍）使用電鍍工藝在開(kāi)口位置沉積錫銀合金（Sn-Ag），形成凸點(diǎn)。此時(shí)的凸點(diǎn)未經(jīng)回流并不是球形的。

6、UBM Etching（UBM蝕刻）去除除凸點(diǎn)區(qū)域以外的 UBM 金屬層（Ti/Cu），只保留在凸點(diǎn)下方的金屬。

7、Reflow（回流焊）過(guò)回流焊，使錫銀合金層熔化并重新流動(dòng)，形成光滑的焊球形狀。

8、芯片安放，回流焊完成后，bump形成，之后進(jìn)行芯片的安放，如上圖步驟。至此，倒裝工片工藝結(jié)束。

倒裝芯片清洗劑W3100介紹

倒裝芯片清洗劑W3100是合明科技開(kāi)發(fā)具有創(chuàng)新型的中性水基清洗劑，專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于浸沒(méi)式的清洗工藝。適用于清洗去除半導(dǎo)體電子器件上的助焊劑殘留物，如引線框架、分立器件、功率模塊、倒裝芯片、攝像頭模組等。本品是PH中性的水基清洗劑，因此具有良好的材料兼容性。

倒裝芯片清洗劑W3100的產(chǎn)品特點(diǎn)：

1、本品可以用去離子水稀釋后使用，稀釋后為均勻單相液，應(yīng)用過(guò)程簡(jiǎn)單方便。

2、產(chǎn)品PH值呈中性，對(duì)鋁、銅、鎳、塑料、標(biāo)簽等敏感材料上顯示出極好的材料兼容性。

3、不含鹵素，材料環(huán)保；氣味清淡，使用液無(wú)閃點(diǎn)，使用安全，不需要額外的防爆措施。

4、由于 PH 中性，減輕污水處理難度。

倒裝芯片清洗劑W3100的適用工藝：

水基清洗劑W3100適用于浸沒(méi)式的清洗工藝。

倒裝芯片清洗劑W3100產(chǎn)品應(yīng)用：

水基清洗劑W3100是合明科技開(kāi)發(fā)具有創(chuàng)新型的中性水基清洗劑，適用于清洗去除半導(dǎo)體電子器件上的助焊劑殘留物，如引線框架清洗、分立器件清洗、功率模塊清洗、倒裝芯片清洗、攝像頭模組清洗等。本產(chǎn)品PH值呈中性，對(duì)鋁、銅、鎳、塑料、標(biāo)簽等敏感材料上顯示出極好的材料兼容性。

具體應(yīng)用效果如下列表中所列：