一、混合芯片封裝技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

1. 技術(shù)挑戰(zhàn)與解決方案

混合芯片封裝技術(shù)的發(fā)展面臨著諸多挑戰(zhàn)，其中包括設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)需要解決的問(wèn)題，如die之間的相互聯(lián)系、接口技術(shù)等。這些問(wèn)題的解決需要更廣泛的可用IP選擇，以及為特定應(yīng)用提供最佳IP的能力。此外，混合芯片封裝還可以重復(fù)使用以前設(shè)計(jì)的芯片，以聚合到多個(gè)設(shè)計(jì)組件中。

在技術(shù)層面，混合芯片封裝可以實(shí)現(xiàn)更高效的整合方法，不再要求所有芯片部件采用相同的工藝制造。這使得封裝技術(shù)的重要性大幅增強(qiáng)，因?yàn)樗粌H關(guān)乎芯片的微小化和復(fù)雜化，還涉及到集成化的發(fā)展趨勢(shì)。隨著技術(shù)的進(jìn)步，封裝技術(shù)也在日益受到重視，先進(jìn)封裝技術(shù)可以將多個(gè)半導(dǎo)體芯片和組件集成到高性能的系統(tǒng)中。

2. 技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

混合芯片封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)是實(shí)現(xiàn)芯片的高密度集成、體積的微型化，并降低成本。這符合高端芯片向尺寸更小、性能更高、功耗更低演進(jìn)的趨勢(shì)。在后摩爾時(shí)代，人們開(kāi)始由先前的“如何把芯片變得更小”轉(zhuǎn)變?yōu)椤叭绾伟研酒獾酶　?，先進(jìn)封裝成為半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展重點(diǎn)。

具體來(lái)說(shuō)，混合芯片封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)包括以下幾個(gè)方面：

·         混合鍵合技術(shù)：為了滿(mǎn)足高集成度芯片封裝需求，混合鍵合成為趨勢(shì)。它可以實(shí)現(xiàn)10um以?xún)?nèi)的凸點(diǎn)間距，而目前的倒裝技術(shù)回流焊技術(shù)最小可實(shí)現(xiàn)40-50um左右的凸點(diǎn)間距。

·         RDL（重布線）技術(shù)：RDL是晶圓級(jí)封裝的核心技術(shù)。它將芯片內(nèi)部電路接點(diǎn)重新布局，形成面陣列排布，實(shí)現(xiàn)芯片之間的緊密連接。

·         TSV（Through Silicon Vias）技術(shù)：2.5D/3D封裝的關(guān)鍵工藝。2.5D/3D封裝中通過(guò)中介層連接多個(gè)芯片，TSV則是連接中介層上下表面電氣信號(hào)的通道。

·         臨時(shí)鍵合/解鍵合技術(shù)：隨著圓級(jí)封裝向大尺寸、三維堆疊和輕薄化的方向發(fā)展，臨時(shí)鍵合/解鍵合工藝成為一種新的解決方案，用于超薄晶圓支撐與保護(hù)。

3. 下游應(yīng)用廣泛

隨著5G通信技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、人工智能、視覺(jué)識(shí)別、自動(dòng)駕駛等應(yīng)用場(chǎng)景的快速興起，應(yīng)用市場(chǎng)對(duì)芯片功能多樣化的需求程度越來(lái)越高。先進(jìn)封裝技術(shù)能在不單純依靠芯片制程工藝實(shí)現(xiàn)突破的情況下，通過(guò)晶圓級(jí)封裝和系統(tǒng)級(jí)封裝，提高產(chǎn)品集成度和功能多樣化，滿(mǎn)足終端應(yīng)用對(duì)芯片輕薄、低功耗、高性能的需求，同時(shí)大幅降低芯片成本。

特別是在以智能手機(jī)為代表的移動(dòng)消費(fèi)電子領(lǐng)域，系統(tǒng)級(jí)封裝占據(jù)了最大的下游應(yīng)用市場(chǎng)比例。根據(jù)預(yù)測(cè)，未來(lái)5年，系統(tǒng)級(jí)封裝增長(zhǎng)最快的應(yīng)用市場(chǎng)將是可穿戴設(shè)備、Wi-Fi路由器、IoT物聯(lián)網(wǎng)設(shè)施以及電信基礎(chǔ)設(shè)施。尤其是隨著5G通訊的推廣和普及，5G基站對(duì)倒裝球柵陣列(FC-BGA)系統(tǒng)級(jí)封裝芯片的需求將大幅上升，未來(lái)5年基站類(lèi)系統(tǒng)級(jí)芯片市場(chǎng)規(guī)模年均復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)高達(dá)41%。

二、混合芯片封裝技術(shù)應(yīng)用前景

1.技術(shù)概述

混合芯片封裝技術(shù)是一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，它涉及到將多個(gè)die（芯片單元）組合在一起，形成一個(gè)多功能的芯片。這種技術(shù)提供了廣泛的IP選擇，以及為特定應(yīng)用提供最佳IP的能力。此外，混合芯片封裝技術(shù)還可以利用OSAT進(jìn)行組裝和測(cè)試，而不是僅僅依賴(lài)代工廠，從而為供應(yīng)商的廣泛選擇和不同的封裝選項(xiàng)打開(kāi)了大門(mén)。

2.應(yīng)用前景

混合芯片封裝技術(shù)的應(yīng)用前景廣闊。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷創(chuàng)新和發(fā)展，高端封裝產(chǎn)品的需求不斷提升，如高速寬帶網(wǎng)絡(luò)芯片、多種數(shù)?；旌闲酒?zhuān)用電路芯片等。在智能手機(jī)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的發(fā)展推動(dòng)下，對(duì)芯片算力提出了更高的要求。傳統(tǒng)、單一的計(jì)算架構(gòu)不再適用，需要引入更多的計(jì)算種類(lèi)，比如異構(gòu)計(jì)算。在這種背景下，混合芯片封裝技術(shù)有助于快速實(shí)現(xiàn)更多種類(lèi)的算力目標(biāo)，通過(guò)先進(jìn)封裝實(shí)現(xiàn)多種技術(shù)組合，滿(mǎn)足所需的功耗、體積、性能要求。

3.商業(yè)挑戰(zhàn)

盡管混合芯片封裝技術(shù)具有諸多優(yōu)勢(shì)，但在商業(yè)上也面臨著一些挑戰(zhàn)。例如，如何處理設(shè)計(jì)不同方面的所有權(quán)，如何更好地表征現(xiàn)成的集成，以及對(duì)于這些部分應(yīng)該如何組合在一起以及誰(shuí)負(fù)責(zé)不同的問(wèn)題存在不同的意見(jiàn)。這些都是混合芯片封裝技術(shù)在實(shí)際應(yīng)用中需要解決的問(wèn)題。

三、混合芯片封裝清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿(mǎn)足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類(lèi)。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹(shù)脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹(shù)脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開(kāi)路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿(mǎn)足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。

結(jié)論

綜上所述，混合芯片封裝技術(shù)在未來(lái)的應(yīng)用前景十分廣闊。雖然在商業(yè)上存在一些挑戰(zhàn)，但隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和發(fā)展，這些問(wèn)題有望得到解決。隨著5G、AI、物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的深入發(fā)展，對(duì)芯片算力的要求越來(lái)越高，混合芯片封裝技術(shù)將在異構(gòu)集成時(shí)代發(fā)揮重要作用，成為創(chuàng)新的催化劑。