先進封裝簡介與先進封裝清洗劑

半導(dǎo)體封裝是半導(dǎo)體制造工藝的后道工序，為芯片和印制線路板之間提供電互聯(lián)、機械支撐、機械和環(huán)境保護及導(dǎo)熱通道。

廣義的封裝主要分為零級到四級封裝，零級封裝指芯片上的互聯(lián)，得到芯片，一級封裝，即狹義上的封裝，指將芯片固定在封裝基板或引線框架上，將芯片的焊盤與封裝基板或引線框架的內(nèi)引腳互聯(lián)從而進一步與外引腳連通，并對芯片與互聯(lián)進行保護性包封。二級封裝為板級封裝，得到印制線路板。三級/四級封裝得到完整的電子產(chǎn)品。

20世紀80年代以SOP（小外形封裝）、LCC（無引腳芯片載體）以及QFP（扁平方形封裝）為主。20世紀90年代，以BGA（球柵陣列封裝）為代表。2000年后，CSP（Chip-Scale Package，芯片級封裝）、WLP（Wafer-Level Package，晶圓級封裝）、SIP（System In a 3Package，系統(tǒng)級封裝）、2.5D/3D封裝開始涌現(xiàn)。

先進封裝與傳統(tǒng)封裝的主要區(qū)別在于是否主要采用打線封裝。傳統(tǒng)封裝工藝采用單科芯片通過焊線方式封裝到基板或引線框架上。而先進封裝形式更加多維：如用倒裝焊代替引線焊接，提高了互聯(lián)密度及電性；用焊球陣列代替引線框架外引腳，提高了I/O數(shù)量、封裝密度及電性能；晶圓級封裝則用芯片工藝代替了傳統(tǒng)封裝工藝；芯片尺寸封裝帶來封裝效率的持續(xù)提升；3D則使封裝密度和性能進一步發(fā)展。

先進封裝主要通過平面與空間上的革新實現(xiàn)連接的密集化、堆疊的多樣化和功能的系統(tǒng)化。

1、平面上，以Bump I/O Pitch（凸塊間距）縮小化和RDL L/S（Re-distributed Layer重布線層，線寬/間距）精細化為核心驅(qū)動，來實現(xiàn)高互聯(lián)、低功耗、低單位面積成本的封裝技術(shù)。典型代表為BGA、Flipchip、晶圓級封裝。

2、空間上，先進封裝向三維發(fā)展，以高度集成化、高度功能化為目標，典型代表為2.5D/3D封裝、SiP系統(tǒng)級封裝、Chiplet等?？臻g上革新的技術(shù)核心為TSV硅通孔（Through SiliconVia）技術(shù)。

先進封裝清洗劑

芯片級封裝在nm級間距進行焊接,助焊劑作用后留下的活性劑等吸濕性物質(zhì),較小的層間距如存有少量的吸濕性活性劑足以占據(jù)相對較大的芯片空間,影響芯片可靠性。要將有限的空間里將殘留物帶離清除,清洗劑需要具備較低的表面張力滲入層間芯片,達到將殘留帶離的目的。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導(dǎo)致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技是一家電子水基清洗劑 環(huán)保清洗劑生產(chǎn)廠家,其產(chǎn)品覆蓋先進封裝清洗劑、半導(dǎo)體清洗、芯片清洗、PCBA電路板清洗劑、助焊劑清洗劑等電子加工過程整個領(lǐng)域。合明科技先進封裝清洗劑產(chǎn)品包含晶圓級封裝清洗劑、SIP系統(tǒng)級封裝清洗劑、倒裝芯片清洗劑、POP堆疊芯片清洗劑等。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。