在半導(dǎo)體芯片制造過程中，需要采用切割工藝對晶圓進(jìn)行劃片，然而傳統(tǒng)的金剛石切割、砂輪切割會對半導(dǎo)體材料造成較為嚴(yán)重的損傷，導(dǎo)致半導(dǎo)體晶圓碎裂、芯片性能下降等問題，因此開發(fā)出先進(jìn)的切割技術(shù)將對集成電路半導(dǎo)體領(lǐng)域的降本增效具有極其重要的意義。隨著激光技術(shù)的進(jìn)步，采用高功率激光實(shí)現(xiàn)的激光燒蝕切割（即激光劃片）和利用小功率激光聚焦實(shí)現(xiàn)的激光隱形切割（即激光隱切）技術(shù)逐漸成為了主流的芯片切割技術(shù)。激光切割技術(shù)屬于非接觸式加工方法，相對傳統(tǒng)金剛石切割和砂輪切割，不會產(chǎn)生崩刃、刀具磨損和水污染，熱影響和夾渣等不可忽視的問題。然而，激光燒蝕切割所采用的大功率激光在工作過程中會產(chǎn)生較高的熱效應(yīng)，因此在切割晶圓時容易同時破壞底部的藍(lán)膜，進(jìn)而對芯片加工工藝產(chǎn)生影響，因此激光隱切技術(shù)逐漸成為了半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的關(guān)注焦點(diǎn)。

圖1 晶圓切割技術(shù)：（a）金剛石刀片切割，（b）砂輪切割和（c）激光隱切技術(shù)

先進(jìn)切割：激光隱切工藝詳解及其應(yīng)用舉例

激光隱切技術(shù)通過將激光聚焦形成小面積的光斑，可產(chǎn)生巨大的能量密度，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)晶圓切割。作為一種干式工藝，激光隱切具有高速、高質(zhì)量（無碎屑或極少碎屑）和低切口損失等優(yōu)勢。激光隱切的具體工藝過程可分為兩個步驟：（1）激光誘導(dǎo)穿孔：如圖2所示，采用光學(xué)系統(tǒng)將可透過晶圓的脈沖激光束聚焦到晶圓表面下方的焦點(diǎn)，當(dāng)該焦點(diǎn)處激光功率密度達(dá)到峰值時，將會形成穿孔，此時晶圓上的芯片還未產(chǎn)生分離；（2）芯片分離：將放置在晶圓的藍(lán)膜展開后，由于激光穿孔附近存在較大的張應(yīng)力和壓應(yīng)力，因此可沿著激光路徑在晶圓內(nèi)部誘導(dǎo)產(chǎn)生裂縫，實(shí)現(xiàn)芯片分離。

圖2 激光聚焦后在隱切層中形成穿孔

激光隱切技術(shù)目前已在多種晶圓切割上實(shí)現(xiàn)應(yīng)用，例如：

（1）硅片切割：采用傳統(tǒng)的金剛石刀片切割硅片時，刀片的厚度、粒度、旋轉(zhuǎn)及切割速度會嚴(yán)重影響硅片切割的質(zhì)量，盡管多年來人們一直在改進(jìn)相關(guān)的技術(shù)方案，但刀片造成的大切割寬度（切口）仍然會導(dǎo)致材料的浪費(fèi)，并且碎屑的產(chǎn)生及刀片磨損也增加了切割成本，而采用具有超窄切割路徑的激光隱切技術(shù)，就可以避免額外的碎屑清理和材料浪費(fèi)帶來的成本問題，進(jìn)而提高芯片的生產(chǎn)率，此外由于避免了熱損傷問題，激光隱切技術(shù)還能夠進(jìn)一步提高芯片制造的良率；

（2）碳化硅切割：碳化硅是一種硬度僅次于金剛石的超硬材料，機(jī)械加工難度非常高，在大尺寸（6英寸及以上）碳化硅晶體襯底材料的制備環(huán)節(jié)，激光隱切技術(shù)相較于固定磨料（鉆石電鍍于鋼線上）的線切割技術(shù)，其切割效率可提升3～5倍，并且由于存在材料消耗的顯著問題，激光隱切技術(shù)還可實(shí)現(xiàn)將碳化硅晶圓的產(chǎn)出率提高30%以上；

（3）特種晶圓切割：采用激光隱切技術(shù)對特種晶圓（例如帶有芯片貼裝薄膜或由低k 材料制成的晶圓）進(jìn)行切割時，可避免碎裂和裂紋的產(chǎn)生，并實(shí)現(xiàn)高效率、高精度的晶圓切割。

圖片來源：航天三江激光產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院

不斷進(jìn)階的激光隱切技術(shù)

盡管激光隱切技術(shù)具有諸多優(yōu)勢，但在切割過程中仍會受到一系列問題的干擾。如圖4所示，晶圓表面翹曲、激光能量密度調(diào)控問題將導(dǎo)致激光焦點(diǎn)無法精確落在晶圓中的具體薄層，阻礙了切割精度、芯片良率的進(jìn)一步提升；由于激光束在加速、減速和轉(zhuǎn)角段難以均勻作用于晶圓，容易出現(xiàn)過度加工等問題；此外模擬量干擾、模擬量非線性、模擬量零漂，或驅(qū)動器電流環(huán)延遲等問題，將影響激光切割平臺的控制精度和響應(yīng)度。

圖4 （a）晶圓表面翹曲影響切割精度，（b）激光作用不均勻?qū)е逻^度加工

針對以上問題，目前學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界提出了一系列的解決方案，如圖5所示，具體包括：

（1）實(shí)時高度跟隨控制：在切割晶圓時，通過位移傳感器實(shí)時測量產(chǎn)品表面微小的高度波動，并實(shí)時補(bǔ)償?shù)郊す馄魉诘膠軸，確保激光焦點(diǎn)精確落在晶圓中的具體薄層；

（2）高速位置比較輸出控制：開發(fā)高度跟隨算法，有效避免了激光在加速、減速和轉(zhuǎn)角段的過度加工問題，使激光均勻地作用在被加工物體上；

（3）PWM（脈沖寬度調(diào)制）控制技術(shù)：通過控制器直接產(chǎn)出開關(guān)量信號，經(jīng)功率放大模塊后直接控制電機(jī)電流環(huán)，實(shí)現(xiàn)更快、更直接地提升激光切割平臺的控制精度和響應(yīng)度。

圖5 （a）晶圓激光隱切時采用的高度跟隨方案，（b）在運(yùn)動軌跡的所有階段以恒定的空間間隔采集高度數(shù)據(jù)，（c）用開關(guān)量信號控制電機(jī)電流環(huán)

針對單焦點(diǎn)激光隱切的作用面積小、激光作用功率調(diào)諧問題，人們還針對性地開發(fā)了多焦點(diǎn)激光隱切技術(shù)，該技術(shù)能夠在晶圓內(nèi)部同時聚焦生成多個焦點(diǎn)進(jìn)行切割，實(shí)現(xiàn)切割效率成倍地提高，如圖6所示。

圖6 （a）多焦點(diǎn)隱切實(shí)驗裝置原理圖，（b）多焦點(diǎn)激光隱切后的晶圓橫截面

在多焦點(diǎn)激光隱切過程中，激光束的位置和強(qiáng)度對切割質(zhì)量都具有較大影響，并且由于空氣和半導(dǎo)體材料的折射率差距過大，作用在晶圓內(nèi)部的激光束會產(chǎn)生焦斑彌散現(xiàn)象，所以需要像差矯正。為了滿足不同應(yīng)用場合下的晶圓切割需求，人們還針對以上問題開展技術(shù)攻關(guān)，包括調(diào)控多焦點(diǎn)的位置和強(qiáng)度，開發(fā)像差矯正技術(shù)以克服焦斑彌散現(xiàn)象等。

激光隱切技術(shù)將有更廣闊的天地

激光隱切相對傳統(tǒng)的切割技術(shù)而言，在實(shí)際應(yīng)用中具有顯著的高效率、高質(zhì)量和低損失等優(yōu)越性，通過對激光隱切技術(shù)進(jìn)行進(jìn)一步的優(yōu)化和探索，例如：通過調(diào)節(jié)激光隱切過程中的光束能量實(shí)現(xiàn)光芯片的表面粗化；進(jìn)一步提高激光隱切的效率等，我們相信這項技術(shù)在集成電路半導(dǎo)體制造以及其他新興領(lǐng)域中，都將大放異彩。

半導(dǎo)體芯片封裝清洗：

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。