因?yàn)閷I(yè)
所以領(lǐng)先
Chiplet是半導(dǎo)體先進(jìn)封裝集大成者
2.5D和3D封裝主要區(qū)別在于芯片的空間排列不同
Chiplet技術(shù)可將不同工藝和功能的芯片進(jìn)行異質(zhì)集成。這種技術(shù)設(shè)計(jì)的核心思想是先分后合,即先將單芯片中的功能塊拆分出來,再通過2.5D或3D等先進(jìn)封裝方式將其集成為大的單芯片。2.5D和3D封裝的主要區(qū)別在于是否有芯片與芯片在垂直方向上的連接。2.5D封裝形式中,芯片的排列主要在RDL、高密度基板或Interposer上進(jìn)行平面排布;3D封裝形式中,芯片的排列包含了芯片在垂直方向上的堆疊,芯片與芯片之間直接進(jìn)行鍵合。2.5D封裝與3D封裝形式一般結(jié)合使用以滿足系統(tǒng)設(shè)計(jì)的要求。
圖表2:2.5D和3D封裝的主要區(qū)別在于是否有芯片與芯片在垂直方向上的連接
資料來源:SK Hynix,Yole Development,中金公司研究部
制程越先進(jìn)且面積越大的SoC芯片,Chiplet封裝的成本優(yōu)勢越明顯
先進(jìn)制程、大面積、高產(chǎn)量下,Chiplet集成相對于SoC具有顯著優(yōu)勢。如果僅考慮生產(chǎn)中的重復(fù)性工程費(fèi)用(RE cost),制程提升后硅片缺陷導(dǎo)致的成本占比逐漸提升,5nm下800mm2的單片系統(tǒng)中,硅片缺陷導(dǎo)致的成本占比達(dá)50%以上,因此多芯片整合能節(jié)省更多成本。將一次性工程費(fèi)用(NRE cost)考慮在內(nèi)后,以800mm2的單片系統(tǒng)、2 Chiplet為例:14nm制程、50萬產(chǎn)量時(shí),由于模塊整體面積較大,D2D接口和封裝等一次性開支占比較小,但是對于每個(gè)Chiplet來說,存在諸如掩模等較高的固定一次性開支,導(dǎo)致Chiplet集成相對SoC并沒有成本優(yōu)勢。在5nm制程下,當(dāng)產(chǎn)量達(dá)到200萬時(shí),Chiplet集成的成本優(yōu)則開始顯現(xiàn)。當(dāng)系統(tǒng)面積更大時(shí),隨著產(chǎn)量增加,Chiplet成本優(yōu)勢將更早顯現(xiàn)。
圖表3:以800mm2單片系統(tǒng)、2 Chiplet為例,隨著制程發(fā)展和產(chǎn)量提升,Chiplet的成本優(yōu)勢逐漸凸顯
資料來源:Yinxiao Feng and Kaisheng Ma《Chiplet Actuary: A Quantitative Cost Model and Multi-Chiplet Architecture Exploration》(2022),中金公司研究部
突破SoC面積限制,Chiplet可在一定程度上緩解“存儲(chǔ)墻”問題
Chiplet能夠突破SoC單芯片的面積制約,是系統(tǒng)算力的關(guān)鍵支撐。受步進(jìn)式光刻機(jī)單次曝光區(qū)域大小限制,當(dāng)前SoC單顆芯片的極限面積通常為800-900mm2,制約了單芯片系統(tǒng)總算力的提升,而采用Chiplet技術(shù)將多顆芯粒進(jìn)行2.5D/3D集成,或?qū)⑼黄茊晤wSoC的面積限制。
Chiplet能夠提升通信帶寬,緩解“存儲(chǔ)墻”問題。傳統(tǒng)馮·諾依曼計(jì)算架構(gòu)瓶頸下,計(jì)算系統(tǒng)算力同時(shí)受“功耗墻”“存儲(chǔ)墻”和“I/O墻”制約。在存儲(chǔ)系統(tǒng)中,從外部存儲(chǔ)、內(nèi)部存儲(chǔ)、高速緩存到處理器,響應(yīng)速度不斷增快,存儲(chǔ)容量不斷減少。其中,高速緩存介于內(nèi)存和處理器之間,緩解二者速度不匹配的矛盾,按照速度遞減、容量遞增的順序可分為L1、L2和L3三部分。層層遞減的響應(yīng)速度,加之存儲(chǔ)和互連帶寬的發(fā)展速度遠(yuǎn)落后于處理器的計(jì)算算力,在數(shù)據(jù)頻繁的交換過程中,由通信帶寬和延遲構(gòu)成的“存儲(chǔ)墻”就成為了限制算力的瓶頸。Chiplet采用高密度、高速封裝和互連設(shè)計(jì),將處理器核心和存儲(chǔ)芯片通過3D堆疊技術(shù)等進(jìn)行組合封裝,提升了計(jì)算和存儲(chǔ)、計(jì)算和計(jì)算之間的通信帶寬,緩解“存儲(chǔ)墻”問題,提升了芯片算力。
圖表4:高算力芯片突破路徑
資料來源:姚鵬《高算力芯片未來技術(shù)發(fā)展途徑》(2022),中金公司研究部
圖表5:馮·諾依曼架構(gòu)瓶頸和“三墻”問題
資料來源:姚鵬《高算力芯片未來技術(shù)發(fā)展途徑》(2022),中金公司研究部
但Chiplet在功耗、散熱和面積上可能存在一些取舍
Chiplet性能突出,但在PPA上面臨一定的取舍。1)系統(tǒng)通信增加功耗:在Chiplet封裝中隨著堆疊的芯片數(shù)量增加,系統(tǒng)愈發(fā)復(fù)雜,用于芯片之間通信的損耗增加,因此會(huì)產(chǎn)生一定的功耗。2)狹小的空間對系統(tǒng)散熱提出了挑戰(zhàn):芯片堆疊后,尤其是在3D堆疊中,芯片在工作中產(chǎn)生的大量熱量,在芯片之間間隔明顯減小的情況下,對系統(tǒng)散熱設(shè)計(jì)也提出了較高的挑戰(zhàn);3)成熟制程下Chiplet成本優(yōu)勢不明顯:隨著芯片面積增加,Chiplet成本優(yōu)勢才開始顯現(xiàn),但是在14nm制程下這種優(yōu)勢并不顯著。在5nm制程下,當(dāng)芯片面積大于700mm2時(shí),Chiplet才開始具有顯著成本優(yōu)勢。對于小面積的單芯片,Chiplet并非最優(yōu)解。對于成熟制程和小面積SoC而言,目前采用chiplet技術(shù)的成本可能遠(yuǎn)超單顆SoC的成本。
圖表6:2 Chiplet集成,14nm(左)和5nm(右)制程下標(biāo)準(zhǔn)化重復(fù)性成本(RE cost)和芯片面積的關(guān)系
資料來源:Yinxiao Feng and Kaisheng Ma《Chiplet Actuary: A Quantitative Cost Model and Multi-Chiplet Architecture Exploration》(2022),中金公司研究部
芯粒-先進(jìn)芯片封裝清洗:
合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。
水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會(huì)作為一個(gè)長期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學(xué)遷移,形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等,這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效,因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。
合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù),滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求,打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。
推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。