微電子封裝技術(shù)重點(diǎn)分析

封裝技術(shù)的發(fā)展階段

微電子封裝技術(shù)的發(fā)展大致經(jīng)歷了四個(gè)階段：

1. 1970 年前，以雙列直插封裝（DIP）為主的直插型封裝階段。

2. 1970—1990 年，以表面貼裝技術(shù)衍生出的小外形封裝（SOP）、J 型引腳小外形封裝（SOJ）、無(wú)引腳芯片載體（LCC）、扁平方形封裝（QFP）四大封裝技術(shù)和針柵陣列（PGA）技術(shù)為主。

3. 1990—2000 年，球柵陣列（BGA）、芯片尺寸封裝（CSP）、倒裝芯片（FC）封裝等先進(jìn)封裝技術(shù)開始興起。

4. 2000 年至今，從二維封裝向三維封裝發(fā)展，出現(xiàn)了晶圓級(jí)封裝（WLP）、系統(tǒng)級(jí)封裝、扇出型（FO）封裝、2.5D/3D 封裝、嵌入式多芯片互連橋接（EMIB）等先進(jìn)封裝技術(shù)。

先進(jìn)封裝技術(shù)的內(nèi)驅(qū)力轉(zhuǎn)變

近年來(lái)，先進(jìn)封裝技術(shù)的內(nèi)驅(qū)力已從高端智能手機(jī)領(lǐng)域演變?yōu)楦咝阅苡?jì)算和人工智能等領(lǐng)域，涉及高性能處理器、存儲(chǔ)器、人工智能訓(xùn)練和推理等。

主要參與者

當(dāng)前，除了傳統(tǒng)委外封測(cè)代工廠（OSAT）和科研機(jī)構(gòu)做封裝外，晶圓代工廠（Foundry）、整合元器件制造商（IDM）、無(wú)廠半導(dǎo)體公司（Fabless）、原始設(shè)備制造商（OEM）都在大力發(fā)展先進(jìn)封裝或相關(guān)關(guān)鍵技術(shù)。

先進(jìn)封裝技術(shù)的引領(lǐng)者

目前臺(tái)積電已成為先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新的引領(lǐng)者之一，相繼推出了基板上晶圓上的芯片（CoWoS）封裝、整合扇出型（InFO）封裝、系統(tǒng)整合芯片（SoIC）等；英特爾推出了 EMIB、Foveros 和 Co-EMIB 等先進(jìn)封裝技術(shù)，力圖通過(guò) 2.5D、3D 和埋入式 3 種異質(zhì)集成形式實(shí)現(xiàn)互連帶寬倍增與功耗減半的目標(biāo)；三星電子推出了扇出型面板級(jí)封裝（FOPLP）技術(shù)，在大面積的扇出型封裝上進(jìn)一步降低封裝體的剖面高度、增強(qiáng)互連帶寬、壓縮單位面積成本，取得性價(jià)比的優(yōu)勢(shì)。

集成電路發(fā)展的制約因素

當(dāng)前集成電路的發(fā)展受“存儲(chǔ)墻”“面積墻”“功耗墻”和“功能墻”這“四堵墻”的制約。

1. 為突破“存儲(chǔ)墻”，業(yè)界提出了存內(nèi)計(jì)算和近存計(jì)算兩種技術(shù)途徑，近存計(jì)算是一種基于先進(jìn)封裝的技術(shù)途徑，通過(guò)超短互連技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器和處理器之間數(shù)據(jù)的近距離搬運(yùn)。

2. 為突破“面積墻”，通過(guò)先進(jìn)封裝技術(shù)集成多顆芯片是一種低成本主流方案。

3. 為突破“功耗墻”，迫切需要采用更先進(jìn)的冷卻技術(shù)。

4. 為突破“功能墻”，可通過(guò)多芯片異質(zhì)集成技術(shù)，將傳感、存儲(chǔ)、計(jì)算、通信等不同功能的元器件集成在一起，實(shí)現(xiàn)電、磁、熱、力等多物理場(chǎng)的有效融合。

芯粒異質(zhì)集成技術(shù)

芯粒異質(zhì)集成技術(shù)已成為維持摩爾定律和超越光罩極限的一種有效方法。增大芯片尺寸可增多晶體管數(shù)量，從而可以集成更復(fù)雜的微體系結(jié)構(gòu)、更多的片上存儲(chǔ)器以及更多的內(nèi)核，提高芯片性能。然而，芯片尺寸受限于光罩極限，且芯片良率隨尺寸的增大而降低。采用更先進(jìn)的制程也可提升芯片的性能，但隨著工藝節(jié)點(diǎn)向小微縮，采用先進(jìn)制程制造大芯片的成本越來(lái)越高。芯粒是一種有效的片間互連和封裝架構(gòu)，即將大芯片拆分成多顆芯粒，以搭積木的形式將不同功能、不同合適工藝節(jié)點(diǎn)制造的芯粒封裝在一起。拆解后的小芯片可形成貨架產(chǎn)品，便于快速靈活的開發(fā)，降低開發(fā)成本與周期的同時(shí)，化整為零，極大減少了知識(shí)。

微電子封裝技術(shù)的關(guān)鍵要點(diǎn)

封裝的目的

微電子封裝的目的在于安放固定密封芯片、保護(hù)集成電路內(nèi)置芯片不受或少受外界環(huán)境的影響，并為之提供一個(gè)良好的工作條件，以使電路具有穩(wěn)定、正常的功能。

封裝的技術(shù)領(lǐng)域

微電子封裝技術(shù)涵蓋的技術(shù)面積廣，屬于復(fù)雜的系統(tǒng)工程。它涉及物理、化學(xué)、化工、材料、機(jī)械、電氣與自動(dòng)化等各門學(xué)科，也使用金屬、陶瓷、玻璃、高分子等各種各樣的材料，因此微電子封裝是一門跨學(xué)科知識(shí)整合的科學(xué)，整合了產(chǎn)品的電氣特性、熱傳導(dǎo)特性、可靠性、材料與工藝技術(shù)的應(yīng)用以及成本價(jià)格等因素，以達(dá)到最佳化目的的工程技術(shù)。

封裝的功能

電子封裝通常有五個(gè)主要功能，即電源分配、信號(hào)分配、散熱通道、機(jī)械支撐和環(huán)境保護(hù)。

1. 電源分配：實(shí)現(xiàn)電源電壓的分配和導(dǎo)通，使芯片和電路之間電流導(dǎo)通，應(yīng)對(duì)電源和接地線分布要考慮恰當(dāng)。

2. 信號(hào)分配：主要是指將電信號(hào)的延遲盡可能減小，在布線時(shí)其路徑應(yīng)盡可能達(dá)到最短，且還應(yīng)考慮高頻信號(hào)干擾，進(jìn)行合理的信號(hào)及接地線分配。

3. 提供散熱通道：主要是指各種電子封裝均要考慮如何將器件或部件長(zhǎng)期工作時(shí)產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去的問(wèn)題。

4. 機(jī)械支撐：主要是指封裝可為芯片和其他部件提供牢固可靠的機(jī)械支撐，并能適應(yīng)各種工作環(huán)境和條件的變化。

5. 環(huán)境保護(hù)：半導(dǎo)體器件和電路的許多參數(shù)均與半導(dǎo)體表面狀態(tài)密切相關(guān)，半導(dǎo)體芯片制造出來(lái)在未封裝之前，時(shí)刻處于周圍環(huán)境的威脅之中，在封裝后，芯片將被嚴(yán)加密封和保護(hù)，使之可適應(yīng)各種工作環(huán)境和條件的變化。

封裝的技術(shù)層次

微電子封裝通常有四個(gè)層次：

1. 第一層次：是指把電路芯片與封裝基板或引腳架之間的粘貼固定、電路連線與封裝保護(hù)的工藝，使之成為易于取放輸送，并可與下一層次組裝進(jìn)行連接的模塊元件。

2. 第二層次：將數(shù)個(gè)第一層次完成的封裝與其他電子元器件組成一個(gè)電路卡的工藝。

3. 第三層次：將數(shù)個(gè)第二層次完成的封裝組裝成的電路卡組合在一個(gè)主電路板上使之成為一個(gè)部件或子系統(tǒng)的工藝。

4. 第四層次：將數(shù)個(gè)子系統(tǒng)組裝成為一個(gè)完成電子產(chǎn)品的工藝過(guò)程。

封裝的分類

電子封裝目前有多種分類方式：

1. 按照封裝中組合電路芯片的數(shù)目，微電子封裝可分為單芯片封裝（SCP）與多芯片封裝（MCP）兩大類，MCP 指層次較低的多芯片封裝，而 MCM 指層次較高的多芯片封裝。

2. 按照密封的材料區(qū)分，微電子封裝可分為金屬封裝、陶瓷封裝、金屬陶瓷封裝和塑料封裝。金屬封裝的優(yōu)點(diǎn)是氣密性好，不易受外界環(huán)境因素的影響。它的缺點(diǎn)是價(jià)格昂貴，外型靈活性小，不能滿足半導(dǎo)體器件日益快速發(fā)展的需要。陶瓷封裝具有極穩(wěn)定的熱、電、機(jī)械特性，對(duì)水分子滲透有良好的阻隔能力，是主要的高可靠性封裝方法；但其工藝溫度較高，成本較高；工藝自動(dòng)化與薄型化封裝的能力遜于塑料封裝；且其有較高的脆性，易致應(yīng)力損害。而塑料封裝的散熱性、耐熱性、密封性雖遜于陶瓷封裝和金屬封裝，但具有低成本、薄型化、工藝較為簡(jiǎn)單、適合自動(dòng)化生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)，因此塑料封裝是目前市場(chǎng)最常采用的技術(shù)。

3. 按照外形、尺寸、結(jié)構(gòu)和與電路板的互連方式，微電子封裝可分為引腳插入封裝（PTH）、表貼封裝（SMT）、面陣封裝和高級(jí)封裝（3D 封裝）等。PTH 器件的引腳為細(xì)針狀或薄板狀金屬，以供插入底座或電路板的導(dǎo)孔中進(jìn)行焊接固定；SMT 器件則先粘貼于電路板上再以焊接固定，它具有海鷗翅型、鉤型、直柄型的金屬引腳，或電極凸塊引腳（也稱為無(wú)引腳化器件）。

4. 依據(jù)引腳分布形態(tài)區(qū)分，封裝元器件有單邊引腳、雙邊引腳、四邊引腳與底部引腳等 4 種。常見的單邊引腳有單列式封裝（SIP）與交叉引腳式封裝（ZIP）；雙邊引腳元器件有雙列直插式封裝（DIP）、小外型封裝（SOP）等；四邊引腳有四邊扁平封裝（QFP）、底部引腳有金屬罐式（MCP）與點(diǎn)陣列式封裝（PGA）。

5. 按照應(yīng)用領(lǐng)域區(qū)分，可分為微波功率器件封裝、大規(guī)模集成電路封裝、光電封裝、MEMS 封裝和高溫封裝等。由于產(chǎn)品小型化以及功能提升的需求和工藝技術(shù)的進(jìn)步，封裝的形式和內(nèi)部結(jié)構(gòu)也有許多不同的變化。

微電子封裝技術(shù)的重要方面解析

封裝技術(shù)的概念

微電子封裝是指利用膜技術(shù)及微細(xì)加工技術(shù)，將芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘貼固定及連接，引出連線端子并通過(guò)可塑性絕緣介質(zhì)灌封固定，構(gòu)成整體立體結(jié)構(gòu)的工藝。從廣義上講，電子封裝是指電子器件、電子組件、電子部件和電子系統(tǒng)等，按規(guī)定的要求合理布置、組裝、鍵合、連接、與外部環(huán)境隔離以及保護(hù)等操作工藝。

封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)

隨著電子產(chǎn)品在個(gè)人、醫(yī)療、家庭、汽車、環(huán)境和安防系統(tǒng)等領(lǐng)域得到應(yīng)用，同時(shí)在日常生活中更加普及，對(duì)新型封裝技術(shù)和封裝材料的需求變得愈加迫切。電子產(chǎn)品繼續(xù)在個(gè)人、醫(yī)療、家庭、汽車、環(huán)境和安防系統(tǒng)等領(lǐng)域不斷拓展，這促使封裝技術(shù)朝著小型化、高性能、高可靠性、低成本和綠色環(huán)保等方向發(fā)展。

典型的封裝辦法

1. DIP（雙列直插式封裝） DIP 即雙列直插辦法封裝。絕大多數(shù)中小規(guī)劃集成電路（IC）均選用這種封裝辦法，其引腳數(shù)一般不超過(guò) 100 個(gè)。采用 DIP 封裝的 CPU 芯片有兩排引腳，需要插入到具有 DIP 結(jié)構(gòu)的芯片插座上，當(dāng)然，也可以直接插在有相同焊孔數(shù)和幾何排列的電路板上進(jìn)行焊接。DIP 封裝具有以下特點(diǎn)：

• 適合在 PCB 上穿孔焊接，操作便利。

• 芯片面積與封裝面積之間的比值較大，故體積也較大。

影響微電子封裝技術(shù)的關(guān)鍵因素

芯片尺寸與良率的關(guān)系

工藝成熟后，當(dāng)芯片面積從 213mm2增至 777mm2時(shí)，良率降低了 33%，因此，芯片的成本隨尺寸的增大而增加。

制程節(jié)點(diǎn)與成本的關(guān)系

相比采用 45nm 節(jié)點(diǎn)制造的 250mm2的芯片，采用 16nm 工藝節(jié)點(diǎn)后，芯片每平方毫米的成本增加 1 倍以上，采用 5nm 工藝后，成本將增加 4 - 5 倍，因此摩爾定律已從單個(gè)晶體管微縮向系統(tǒng)級(jí)微縮演變。

封裝技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域需求

隨著電子產(chǎn)品在個(gè)人、醫(yī)療、家庭、汽車、環(huán)境和安防系統(tǒng)等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，對(duì)封裝技術(shù)在性能、尺寸、可靠性等方面提出了不同的要求。例如，在汽車電子領(lǐng)域，對(duì)封裝的耐高溫、抗振動(dòng)等性能要求較高；在醫(yī)療設(shè)備領(lǐng)域，對(duì)封裝的生物兼容性和可靠性要求嚴(yán)格。

產(chǎn)業(yè)參與者的競(jìng)爭(zhēng)與合作

在微電子封裝領(lǐng)域，不同類型的企業(yè)，如晶圓代工廠、整合元器件制造商、無(wú)廠半導(dǎo)體公司和原始設(shè)備制造商等，既存在競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系，也有合作的可能。他們的技術(shù)研發(fā)方向、市場(chǎng)策略等都會(huì)影響封裝技術(shù)的發(fā)展。

微電子封裝技術(shù)的核心內(nèi)容剖析

封裝技術(shù)在集成電路產(chǎn)業(yè)中的地位

集成電路是國(guó)之重器，設(shè)計(jì)、制造和封裝是集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的三大支柱。封裝是芯片實(shí)用化的起點(diǎn)，是溝通芯片內(nèi)部世界與外部系統(tǒng)的橋梁。

封裝技術(shù)對(duì)芯片性能的影響

封裝技術(shù)不僅影響芯片的物理保護(hù)和電氣連接，還對(duì)芯片的散熱、信號(hào)傳輸、電源分配等性能產(chǎn)生重要影響。良好的封裝技術(shù)可以提高芯片的穩(wěn)定性、可靠性和工作效率。

封裝技術(shù)與系統(tǒng)集成的關(guān)系

采用先進(jìn)的封裝技術(shù)將處理、模擬/射頻、光電、能源、傳感、生物等集成在一個(gè)系統(tǒng)內(nèi)，進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)封裝，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)性能的提升。相比常規(guī)封裝，先進(jìn)封裝具有小型化、輕薄化、高密度、低功耗和功能融合等優(yōu)點(diǎn)，相比系統(tǒng)級(jí)芯片，還可以降低成本。

先進(jìn)微電子封裝技術(shù)的重點(diǎn)研究

面向第三代半導(dǎo)體與功率器件封裝的納米銅燒結(jié)技術(shù)

該文回顧了近年來(lái)面向第三代半導(dǎo)體與功率器件封裝的納米銅燒結(jié)技術(shù)的最新研究成果，分析了尺度效應(yīng)、銅氧化物對(duì)燒結(jié)溫度及擴(kuò)散的影響，總結(jié)了鍵合表面納米化修飾、銅納米焊料的制備與燒結(jié)鍵合、銅納米焊料氧化物自還原等多項(xiàng)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)與。

高可靠先進(jìn)微系統(tǒng)封裝技術(shù)

文章概述了微系統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)及類型，闡述了高可靠晶圓級(jí)芯片封裝（WLP）、倒裝焊封裝（BGA）、系統(tǒng)級(jí)封裝（SIP）、三維疊層封裝、TSV 通孔結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)原理、關(guān)鍵工藝技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì)。

微電子先進(jìn)封裝技術(shù)的重要性

微電子先進(jìn)封裝技術(shù)是半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中四大環(huán)節(jié)之一，是目前延續(xù)摩爾定律的唯一可行技術(shù)，支撐著微電子技術(shù)持續(xù)發(fā)展。是當(dāng)前世界主要工業(yè)國(guó)家必爭(zhēng)的技術(shù)至高點(diǎn)，也是我國(guó)受美國(guó)打壓的“卡脖子”關(guān)鍵技術(shù)。

芯片封裝清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。