1. 縮短設(shè)計(jì)和生產(chǎn)周期，降低整體項(xiàng)目成本；

2. 在晶圓級(jí)實(shí)現(xiàn)高密度 I/O 互聯(lián)，縮小線距；

3. 優(yōu)化電、熱特性，尤其適用于射頻/微波、高速信號(hào)傳輸、超低功耗等應(yīng)用；

4. 封裝尺寸更小、用料更少，與輕薄、短小、價(jià)優(yōu)的智能手機(jī)、可穿戴類產(chǎn)品達(dá)到完美契合；

5. 實(shí)現(xiàn)多功能整合，如系統(tǒng)級(jí)封裝（System in Package，SiP）、集成無源件（Integrated Passive Devices，IPD）等。

需要強(qiáng)調(diào)的一點(diǎn)是，與打線型封裝技術(shù)不同，用晶圓級(jí)封裝技術(shù)來實(shí)現(xiàn)腔內(nèi)信號(hào)布線（Internal Signal Routing）有多個(gè)選項(xiàng)：晶圓級(jí)凸塊（Wafer Bumping）技術(shù)、再分布層（Re-Distribution Layer）技術(shù)、硅介層（Silicon Interposer）技術(shù)、硅穿孔（Through Silicon Via）技術(shù)等。

先進(jìn)晶圓級(jí)封裝技術(shù)的五大要素

先進(jìn)晶圓級(jí)封裝技術(shù)是現(xiàn)代半導(dǎo)體制造中不可或缺的一部分，它對(duì)于提高芯片性能、減小封裝體積以及降低成本具有重要意義。根據(jù)搜索結(jié)果，先進(jìn)晶圓級(jí)封裝技術(shù)主要包括以下五大要素：

1. 晶圓級(jí)凸塊（Wafer Bumping）技術(shù)

晶圓級(jí)凸塊技術(shù)是在切割晶圓之前，于晶圓的預(yù)設(shè)位置上形成或安裝焊球（亦稱凸塊）。這是實(shí)現(xiàn)芯片與PCB或基板互連的關(guān)鍵技術(shù)。凸塊的選材、構(gòu)造、尺寸設(shè)計(jì)受到多種因素的影響，例如封裝大小、成本以及電氣、機(jī)械、散熱等性能要求。常見的凸塊工藝包括印刷型凸點(diǎn)技術(shù)、共晶電鍍型落球技術(shù)、無鉛合金凸點(diǎn)技術(shù)和銅支柱合金凸點(diǎn)技術(shù)。

2. 扇入型（Fan-In）晶圓級(jí)封裝技術(shù)

扇入型晶圓級(jí)封裝技術(shù)，也稱為晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝（Wafer Level Chip Scale Package, WLCSP），是當(dāng)今各類晶圓級(jí)封裝技術(shù)中的主力。這種技術(shù)的全球出貨量每年保持在三百億顆以上，主要供應(yīng)手機(jī)、智能穿戴等便攜型電子產(chǎn)品市場。

3. 扇出型（Fan-Out）晶圓級(jí)封裝技術(shù)

扇出型晶圓級(jí)封裝技術(shù)是另一種重要的封裝技術(shù)。與扇入型技術(shù)不同，扇出型技術(shù)能夠提供更多的I/O觸點(diǎn)，適用于需要大量輸入輸出接口的復(fù)雜芯片。這種技術(shù)通過將芯片的I/O觸點(diǎn)重新布局到占位更為寬松的區(qū)域，并形成面陣列排布，從而減少后續(xù)的封裝或表面貼裝的難度。

4. 2.5D晶圓級(jí)封裝技術(shù)（包含IPD）

2.5D晶圓級(jí)封裝技術(shù)是一種介于2D和3D封裝之間的技術(shù)，它能夠在不增加太多成本的情況下，提供比傳統(tǒng)2D封裝更好的性能。這種技術(shù)通常包含IPD（Integrated Passive Device，集成無源器件），可以實(shí)現(xiàn)更高效的信號(hào)傳輸和更低的功耗。

5. 3D晶圓級(jí)封裝技術(shù)（包含IPD）

3D晶圓級(jí)封裝技術(shù)是目前最先進(jìn)的封裝技術(shù)之一，它能夠在垂直方向上堆疊多個(gè)芯片，從而大幅減小封裝體積。這種技術(shù)同樣包含IPD，可以實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜的電路設(shè)計(jì)和更高的集成度。3D封裝技術(shù)的關(guān)鍵在于TSV（Through Silicon Via，硅通孔）技術(shù)，這種技術(shù)能夠提供貫通硅晶圓裸片的垂直互連，用最短路徑將硅片一側(cè)和另一側(cè)進(jìn)行電氣連通。

綜上所述，先進(jìn)晶圓級(jí)封裝技術(shù)的五大要素包括晶圓級(jí)凸塊技術(shù)、扇入型晶圓級(jí)封裝技術(shù)、扇出型晶圓級(jí)封裝技術(shù)、2.5D晶圓級(jí)封裝技術(shù)以及3D晶圓級(jí)封裝技術(shù)。這些技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用推動(dòng)了半導(dǎo)體行業(yè)向更高性能、更小體積和更低功耗的方向發(fā)展。

先進(jìn)芯片封裝清洗介紹

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。